Perancangan 196 GHZ-Fmax Si/SiI-xGex/Si heterojunction bipolar transistor dengan memperhitungkan mobilitas hole pada doping tinggi

Pencarian berdasarkan :

SEMUA Pengarang Subjek ISBN/ISSN Pencarian Spesifik

Pencarian terakhir:

Perancangan 196 GHZ-Fmax Si/SiI-xGex/Si heterojunction bipolar transistor dengan memperhitungkan mobilitas hole pada doping tinggi

Joko Nugroho - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

S03-1001 100 Koleksi Skripsi Tersedia

Informasi Detail

Judul Seri: -
No. Panggil: 100
Penerbit: Surabaya : ITATS., 2006
Deskripsi Fisik: -
Bahasa: Indonesia
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: NONE
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: Heterojunction
frekuensi transit
frekuensi maximum
Info Detail Spesifik: NPM : 03.2002.1.06050 - Nilai : -
Pernyataan Tanggungjawab: Pembimbing : H. Ahmad Fadhol, SSi. ST. MT.

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Abstrak, Abstract & Kata Penghantar

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar