Pengaruh profil Ge terhadap transit (fT) pada Si/SiL-XGeX/Si Heterojungction Bipolar Transistor dengan doping tinggi

Pencarian berdasarkan :

SEMUA Pengarang Subjek ISBN/ISSN Pencarian Spesifik

Pencarian terakhir:

Pengaruh profil Ge terhadap transit (fT) pada Si/SiL-XGeX/Si Heterojungction Bipolar Transistor dengan doping tinggi

INTISARI

Penulisan ini adalah suatu analisa terhadap divais Si/Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor yang disingkat HBT. Teknologi HBT dewasa ini berkembang sebagai salah satu usaha untuk memenuhi kebutuhan divais yang mempunyai performasi lebih tinggi. Pada penulisan ini untuk mendapatkan resistansi basis yang rendah digunakan doping yang tinggi pada basis yaitu sebesar 5.1020 cm-3, sedangkan penambahan Ge pada basis HBT antara 8% sampai dengan 24%. Adanya penambahan Ge tersebut dapat meningkatkan nilai bandgap narrowing dari 0,253 menjadi 0,364 dengan meningkatnya bandgap narrowing maka transit time pada emitter bertambah kecil dari 1,409 ps menjadi 0,019 ps. Perhitungan dilakukan dengan bantuan MatLab. Dari struktur divais NE = 1018 cm-3, NB = 5.1020 cm-3, WE = 50nm dan WB = 10nm untuk penambahan Ge pada basis sebesar 8% diperoleh fT sebesar 68 GHz sedangkan untuk penambahan sebesar 24%
diperoleh fT sebesar 173 GHz.

Kata kunci : doping, bandgap, transit time

Ketersediaan

S03-1821 182 Koleksi Skripsi Tersedia

Informasi Detail

Judul Seri: -
No. Panggil: 182
Penerbit: Surabaya : ., 2007
Deskripsi Fisik: -
Bahasa: Indonesia
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: NONE
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: NPM : 03.1996.1.04605 - Nilai : -
Pernyataan Tanggungjawab: Pembimbing : Achmad Fadhol, ST. MT.

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Abstrak - Abstract

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar